DDR3 уже не за горами: основные преимущества технологии.

Технология DDR3, которая прийдет на смену DDR2. Производители, как всегда, стремятся описать максимум преимуществ новых технологий, так чтобы они завоевали доверие пользователей как можно раньше. Интел и Samsung рассказали о преимуществах DDR3 и сообщили о своей полной готовности к внедрению этой технологии.

Официальные планы Интел говорят, что во второй половине будущего года будет представлен чипсет Bearlake, который поддерживает DDR3. Как ожидает компания, в 2009 году DDR3 станет основной технологией.

Чарльз Чанг, менеджер Интел по поставкам, сообщил, что компания уже получила образцы модулей памяти DDR3 от разных производителей, и они работают на платформах Интел без каких-либо проблем. Массовое производство модулей DDR3 запланировано на первый квартал будущего года.

Память DDR3 имеет значительно лучшее соотношение пропускной способности на Ватт потребляемой энергии. Если сравнивать с DDR2-800, модули DDR3-800/1067/1333 потребляют только 72%, 83% и 95% энергии, соответственно.

Получается, что DDR3 более экономна, обладая при этом большей пропускной способностью. Напомним, Интел считает, что пик использования DDR3 придется только на 2009 год. По информации, предоставленной компанией iSuppli, ожидаемые объемы продаж и цены DDR3 по сравнению с DDR2 достигнут в 2007 году только 10% при цене на 50% большей, чем у DDR2.

В 2008 году ситуация закономерно изменится к лучшему. DDR3 завоюет 25% рынка, а ее цена станет такой же, как у DDR2. И наконец, DDR3 станет основной технологией в 2009 году.

Руководство компании Samsung Electronics сообщило подробности о латентности будущих модулей. Все модули DDR2-533 (CL 4-4-4), DDR2-667 (CL 5-5-5) и DDR2-800 (CL 6-6-6) имеют латентность 15 нс. CAS латентность (CL) - это время (количество тактовых циклов), которое проходит от отправки контроллером памяти запроса на чтение из памяти и до момента отправления данных модулем. CAS латентность описывает только задержку между запросом и получением первого бита, а тактовая частота характеризует задержку между битами. Таким образом, при чтении пакетов данных, более высокая тактовая частота может отразиться на практике значительно более высокой скоростью чтения данных, даже при худших показателях CAS латентности.

Используя в качестве примеров DDR3-1066 (7-7-7), DDR3-1333 (8-8-8) и DDR3-1600 (9-9-9), была определена тактовая частота для вычисления CAS латентности. Полученные результаты: 13,125 нс, 12 нс и 11,25 нс. Эти модули работают на 25% быстрее. Так что, стоит иметь в виду, что CAS латентность зависит не только от CL, но и от тактовой частоты.

По информации, предоставленной Samsung, модули DDR3-800/1066 появятся на рынке во втором квартале будущего года, а DDR3-1666 - на квартал позже - в третьем квартале. DDR3-800/1066 для мобильных платформ будет представлена в первом квартале 2008 года, а в первом квартале 2009 для мобильных платформ будет представлена и память DDR3-1333.

На четвертой фотографии представлены модули памяти Samsung DDR3 в работающей платформе на основе чипсета Bearlake-P.

Поиск по сайту

Рекомендуем Часто задаваемые вопросы по материнским платам Ремонт и диагностика. Форм-факторы материнских плат. Выбираем мобильный телефон. Мобильные телефоны Alcatel. Мобильные телефоны Benq - Siemens. Мобильные телефоны Motorola. Сотовые телефоны Nokia Принципиальные схемы мониторов. Архив ресурсов для жестких дисков. Файловый обменный архив технических и программных ресурсов. Видеокарты: драйвера, кодеки(codec`s), BIOS - ы, утилиты, тесты, бенчмарки.