|
|---|
PRAM - новая сверхбыстрая энергонезависимая память. Специалисты компаний IBM, Macronix, Qimonda, разработали новый тип модулей памяти. PRAM, память с изменением фазы - намного быстрее, чем флэш-память. Разница составляет порядком в 500 раз. К тому же разработка очень экономична и потребляет в два раза меньше электроэнергии. PRAM это новый прорыв в сфере мобильных технологий. Так скажем, после введения памяти в массовое производство, мобильные телефоны, плееры и пр. станут более оперативно работать, при этом затрачивая ещё меньше энергии. Память PRAM планируется в широкую продажу только в 2008г. Новая разработка основана на материале сурьмид германия(GeSb) с некоторыми примесями. Как заявляет IBM, PRAM чипы возможно производить по тех. процессу 22нм, что для флэш, подходящей максимум к 45нм тех. нормам, никак неприемлимо. Идея PRAM лежит в использовании двух фазовых состояний вещества для осуществления хранения данных. Для полупроводника в данной технологии два состояния: кристалическая и аморфная, что дает возможность сохранить в двоичной системе логические ноль и еденицу.
|
|
|---|
|
|
|---|